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SSM6J422TU,LF
1个P沟道 耐压:20V 电流:4A
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- 描述
- 特性：AEC-Q101合格。 1.5-V栅极驱动电压。 低漏源导通电阻：ΔRDS(ON) = 99.6 mΩ (最大值) (@VGS = -1.5 V)；RDS(ON) = 67.8 mΩ (最大值) (@VGS = -1.8 V)；RDS(ON) = 51.4 mΩ (最大值) (@VGS = -2.5 V)；RDS(ON) = 42.7 mΩ (最大值) (@VGS = -4.5 V)。应用：电源管理开关
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM6J422TU,LF
- 商品编号
- C5930517
- 商品封装
- SMD-6P
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.076克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42.7mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 840pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 采用E系列技术的快速体二极管MOSFET
- 降低反向恢复时间（trr）、反向恢复电荷（Qrr）和反向恢复峰值电流（IRRM）
- 低品质因数（FOM）导通电阻（Ron）×栅极电荷（Qg）
- 低输入电容（Ciss）
- 由于低Qrr，增强了鲁棒性
- 超低栅极电荷（Qg）
- 雪崩能量额定（UIS）
应用领域
- 电信
- 服务器和电信电源
- 照明
- 高强度气体放电灯（HID）
- 发光二极管（LED）
- 消费电子和计算机
- ATX电源
- 工业
- 焊接
- 电池充电器
- 可再生能源
- 太阳能（光伏逆变器）
- 开关模式电源（SMPS）
- 采用以下拓扑的应用
- LLC
- 移相全桥（ZVS）
- 三电平逆变器
- 交直流桥