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IPW90R1K0C3
1个N沟道 耐压:900V 电流:5.7A
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- 描述
- 特性：最低品质因数 RON × Qg。 极高的 dv/dt 额定值。 高脉冲电流能力。 符合 JEDEC 标准，适用于目标应用。 无铅引脚镀层，符合 RoHS 标准。 超低栅极电荷。应用：准谐振反激/正激拓扑。 PC 机箱和消费类应用
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPW90R1K0C3
- 商品编号
- C648671
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 9.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V,3.3A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 89W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 850pF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(1000个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1000个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交2单
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