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IPW90R800C3
1个N沟道 耐压:900V 电流:6.9A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPW90R800C3
- 商品编号
- C648672
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 10.56克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 800mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 104W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 最低优值 Ron × Qg
- 极高的 dv/dt 额定值
- 高峰值电流能力
- 针对目标应用通过 JEDEC 认证
- 无铅引脚镀层;符合 RoHS 标准
- 超低栅极电荷
应用领域
-准谐振反激/正激拓扑-电脑主机及消费类应用-工业开关电源