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IMT65R163M1HXUMA1
耐压:650V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IMT65R163M1HXUMA1
- 商品编号
- C5771892
- 商品封装
- HSOF-8-1
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 4.55克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 163mΩ@18V | |
| 耗散功率(Pd) | 106W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 320pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 45pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
650 V CoolSiCTM 基于英飞凌20多年来研发的成熟碳化硅技术打造。凭借宽带隙碳化硅材料特性,650 V CoolSiCTM MOSFET 集高性能、高可靠性和易用性于一身。它适用于高温和恶劣工况,可实现系统最高效率的简化且经济高效的部署。
商品特性
- 大电流下优化的开关特性
- 换向稳健的快速体二极管,Qfr 低
- 出色的栅极氧化物可靠性
- Ti, \max = 175℃,热性能优异 -RDS(ON)和脉冲电流随温度的变化较小
- 雪崩能力增强
- 与标准驱动器兼容
- 开尔文源极可将开关损耗降低至四分之一
应用领域
-开关电源-不间断电源 (UPS)-太阳能光伏逆变器-电动汽车充电基础设施-储能和电池化成-D 类放大器
- IMZA120R040M1HXKSA1
- IN-3531SCUV-U60
- SXT2148EE07-48.000M
- IN-C68QACTMU2
- SXT2148EE16-16.000M
- IN-C68QACTMU4
- SXT2148EE16-20.000M
- IN-C68QACTMU5
- IN-P18AT5UW
- IN-P32ATA
- IN-P36BTEUW.27
- SXT2148EE16-48.000M
- IN-S121AS5A
- SXT2148EE17-16.000M
- IN-S124BRYG
- IN-S126DSHIR
- SXT2148EE17-24.000M
- IN-S126FSHIR
- IN-S42ATA
- SXT2148EE17-38.400M
- IN-S63AS5UW