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IMZA120R040M1HXKSA1
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- 描述
- 特性：VDSS = 1200 V，TVj = 25℃。 IDDC = 55 A，Tc = 25℃。 RDSS(on) = 39 mΩ，VGS = 18 V，TVj = 25℃。 极低的开关损耗。 短路耐受时间3 μs。 基准栅极阈值电压，VGDD(th) = 4.2 V。应用：通用驱动器 (GPD)。 电动汽车充电
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IMZA120R040M1HXKSA1
- 商品编号
- C5771896
- 商品封装
- TO-247-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 耗散功率(Pd) | 227W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 51nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.62nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 75pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 54.4mΩ |
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