IPD088N06N3GBTMA1
1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD088N06N3GBTMA1
- 商品编号
- C5772126
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 71W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 适用于高频开关和同步整流。
- 针对 DC/DC 转换器优化的技术
- 出色的栅极电荷与导通电阻 RDS(on) 乘积(品质因数 FOM)
- 极低的导通电阻 RDS(on)
- N 沟道,常电平
- 100% 雪崩测试
- 无铅镀层;符合 RoHS 标准
- 针对目标应用通过 JEDEC 认证
应用领域
- 信号处理-驱动器-逻辑电平转换器-商用/工业级-信号处理-驱动级-逻辑电平转换器-标准版本

