IPBE65R190CFD7AATMA1
1个N沟道 耐压:650V 电流:14A
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPBE65R190CFD7AATMA1
- 商品编号
- C5772115
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.907克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 77W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.291nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 479pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 D²PAK（TO - 263）是一种表面贴装功率封装，能够容纳高达HEX - 4的芯片尺寸。它在现有的任何表面贴装封装中提供了最高的功率能力和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低，D²PAK（TO - 263）适用于大电流应用，并且在典型的表面贴装应用中可散热高达2.0 W。
商品特性
- 市场上最新的具备集成快速体二极管的 650V 汽车级认证技术,具有超低反向恢复电荷(Qrr)
- 最低的品质因数 RDS(on)*Qg 和 RDS(on)*Eoss
- 100% 雪崩测试
- 提供开尔文源极引脚
- 在 SMD 和 THD 封装中具备同类最佳的导通电阻 RDS(on)
应用领域
- 单向和双向 DC - DC 转换器
- 车载电池充电器