商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
商品特性
- N沟道增强型
- 根据失效目录,目视检查的可接收质量水平(AQL)为0.65
- 根据MIL - STD 883C标准,属于静电放电敏感器件
- 芯片键合:焊接或胶粘
- 背面金属化:镍钒(NiV)体系
- 正面金属化:铝铜(AlCu)体系
- 钝化层:氮化物 + 酰亚胺
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |