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IXFN360N10T实物图
  • IXFN360N10T商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IXFN360N10T

IXFN360N10T

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商品型号
IXFN360N10T
商品编号
C5743237
商品封装
SOT-227B​
包装方式
管装
商品毛重
43.536克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)360A
导通电阻(RDS(on))2.6mΩ@10V,360A
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)505nC@10V
输入电容(Ciss)36nF@25V
反向传输电容(Crss)330pF@25V
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

650 V CoolSiC™基于英飞凌(Infineon)20多年来研发的成熟碳化硅技术打造。借助宽带隙碳化硅材料的特性,650 V CoolSiC™ MOSFET在性能、可靠性和易用性方面实现了独特的结合。它适用于高温和恶劣工作环境,能够以简单且经济高效的方式实现最高的系统效率。

商品特性

  • 在较大电流下具有优化的开关特性
  • 换向稳健的快速体二极管,Qfr 较低
  • 出色的栅极氧化物可靠性
  • 最高结温 Ti, max = 175°C,热性能优异
  • 导通电阻 RDS(on) 和脉冲电流随温度的变化较小
  • 雪崩能力增强
  • 与标准驱动器兼容
  • 开尔文源极可将开关损耗降低至原来的四分之一

应用领域

  • 电信和服务器开关电源
  • 不间断电源(UPS)
  • 太阳能光伏逆变器
  • 电动汽车充电基础设施
  • 储能和电池化成
  • D 类放大器

数据手册PDF