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IXFN360N10T实物图
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IXFN360N10T

IXFN360N10T

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商品型号
IXFN360N10T
商品编号
C5743237
商品封装
SOT-227B​
包装方式
管装
商品毛重
43.536克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)360A
导通电阻(RDS(on))2.6mΩ@10V
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)505nC@10V
输入电容(Ciss)36nF
反向传输电容(Crss)330pF
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

650 V CoolSiC™基于英飞凌(Infineon)20多年来研发的成熟碳化硅技术打造。借助宽带隙碳化硅材料的特性,650 V CoolSiC™ MOSFET在性能、可靠性和易用性方面实现了独特的结合。它适用于高温和恶劣工作环境,能够以简单且经济高效的方式实现最高的系统效率。

商品特性

  • 国际标准封装
  • 175°C工作温度
  • 高电流处理能力
  • 雪崩额定
  • 快速本征整流器
  • 低导通电阻RDS(on)
  • 易于安装
  • 节省空间
  • 高功率密度

应用领域

-DC-DC转换器-电池充电器-开关模式和谐振模式电源-直流斩波器-交流电机驱动器-不间断电源-高速功率开关应用

数据手册PDF