DMJ70H1D3SK3-13
1个N沟道 耐压:700V 电流:4.7A
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- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMJ70H1D3SK3-13
- 商品编号
- C5711676
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@10V,1A | |
| 耗散功率(Pd) | 57W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 264pF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 栅源电压（VGS）为 -4.5V、漏极电流（ID）为 -2.5A 时，导通电阻（RDS(ON)）<85mΩ
- 栅源电压（VGS）为 -2.5V、漏极电流（ID）为 -1.8A 时，导通电阻（RDS(ON)）<115mΩ
- 栅源电压（VGS）为 -1.8V、漏极电流（ID）为 -1.3A 时，导通电阻（RDS(ON)）<150mΩ
- 栅源电压（VGS）为 -1.5V、漏极电流（ID）为 -0.5A 时，导通电阻（RDS(ON)）<250mΩ
- 先进的沟槽工艺技术
- 专为开关负载、PWM 应用等特殊设计
- 符合欧盟 RoHS 2.0 标准的无铅产品
- 采用符合 IEC 61249 标准的环保模塑化合物