DMJ70H1D3SK3-13
1个N沟道 耐压:700V 电流:4.7A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMJ70H1D3SK3-13
- 商品编号
- C5711676
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 57W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 264pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最大限度降低导通电阻 RDS(ON),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 生产过程中进行100%非箝位电感开关(UIS)测试
- 低栅极输入电阻
- 低输入电容
- 无铅涂层;符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
- 适配器
- 液晶(LCD)和等离子(PDP)电视
- 照明