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DMN3051LDM-7
1个N沟道 耐压:30V 电流:4A
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- 描述
- 特性：低导通电阻：38 mΩ @ VGS = 10V；64 mΩ @ VGS = 4.5V。 低输入电容。 快速开关速度。 无铅设计/符合RoHS标准。 “绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，可靠性高
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN3051LDM-7
- 商品编号
- C5711693
- 商品封装
- SOT-26
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.02克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 424pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 81pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低导通电阻
- 在VGS = 10 V时为38 mΩ
- 在VGS = 4.5 V时为64 mΩ
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 设计无铅/符合RoHS标准
- “绿色”器件
- 符合AEC - Q101高可靠性标准