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DMN2011UFDF-13
1个N沟道 耐压:20V 电流:11.7A
- 描述
- 新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻(RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2011UFDF-13
- 商品编号
- C5711681
- 商品封装
- UDFN2020-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042409克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 730mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.248nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 265pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 295pF |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的中功率DFN2020MD - 6（SOT1220）表面贴装器件（SMD）塑料封装N沟道增强型场效应晶体管（FET）。
商品特性
- 逻辑电平兼容
- 可侧面焊锡浸润，便于光学焊锡检查
- 静电放电（ESD）保护 >2 kV HBM（H2类）
- 沟槽MOSFET技术
应用领域
- 继电器驱动器
- 高速线路驱动器
- 低端负载开关
- 开关电路