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DMN2310UT-13
1个N沟道 耐压:20V 电流:1.2A
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- 描述
- 新一代MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，适用于高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2310UT-13
- 商品编号
- C5711683
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.011333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 240mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 290mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 950mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 700pC | |
| 输入电容(Ciss) | 38pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 逻辑电平栅极驱动
- 超小、节省空间的封装
- 低外形高度
- 低导通电阻
- 快速开关时间
- 低栅极电荷
- 符合RoHS标准（无豁免）
- 符合REACH法规，无冲突矿物
- 逻辑电平栅极驱动
- 超小、节省空间的封装
- 低外形高度
- 低导通电阻
- 快速开关时间
- 低栅极电荷
- 符合RoHS标准（无豁免）
- 符合REACH法规，无冲突矿物
应用领域
- 电源管理单元
- 电池供电设备
- 负载开关、极性保护
- 电流监测单元
- 电池供电设备
- 负载开关、极性保护