CY15B116QN-40BKXIT

EXCELON LP CY15X116QN是一款采用先进铁电工艺的低功耗16 Mb非易失性存储器。铁电随机存取存储器（F-RAM）是一种非易失性存储器，能够像RAM一样执行读写操作。该存储器提供151年的可靠数据保留时间，解决了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存和EEPROM不同，CY15X116QN以总线速度执行写入操作，无写入延迟。数据在每个字节成功传输到器件后立即写入存储器阵列，随后可立即开始下一个总线周期，无需轮询。此外，该产品提供比其他非易失性存储器更多的写入次数，支持高达10¹⁵次读/写周期，比EEPROM多10亿倍的写入周期。这些特性使其非常适合需要频繁或快速写入操作的非易失性存储器应用，例如数据收集和工业控制。作为串行EEPROM或闪存的直接硬件替代品，CY15X116QN提供了显著优势。它采用高速SPI总线，充分发挥了F-RAM技术的高速写入能力。该器件包含只读器件ID和ID功能，允许主机识别每个器件的制造商、产品容量、产品版本和ID。此外，它还提供可写的8字节序列号寄存器，用于识别特定电路板或系统。

• 16 Mb铁电随机存取存储器（F-RAM），逻辑结构为2048 K × 8
• 提供高达10¹⁵次的读/写周期，接近无限耐久性
• 151年数据保留时间
• 即时非易失性写入技术
• 基于高可靠性先进铁电工艺
• 快速串行外设接口（SPI），频率高达40 MHz
• 支持SPI模式0（0,0）和模式3（1,1）
• 精密的写入保护方案：通过写保护（WP）引脚提供硬件保护，通过写禁用（WRDI）指令提供软件保护，支持对1/4、1/2或整个阵列进行软件模块保护
• 器件ID和序列号功能：包含制造商ID、产品ID、器件ID和序列号
• 专用256字节特殊扇区F-RAM：支持专用特殊扇区读写操作，存储内容可在多达3个标准回流焊周期内保持不变
• 低功耗：在40 MHz频率下，典型有效电流为2.7 mA；典型待机电流为14 μA；典型深度掉电模式电流为1.10 μA；典型休眠模式电流为0.1 μA
• 低电压操作：VDD范围为1.71 V ~ 1.89 V；CY15B116QN型号的VDD范围为1.8 V ~ 3.6 V
• 工业级工作温度范围：-40℃ ~ +85℃
• 封装：24-ball小间距BGA（24-FBGA）
• 符合有害物质限制标准（RoHS）