CY15V104QI-20LPXIT

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品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: CY15V104QI-20LPXIT
商品编号: C5690270
商品封装: GQFN-8(3.2x3.3)
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	铁电存储器(FRAM)

	属性	参数值
	功能特性	工作状态指示

商品概述

该器件是一款低功耗、4兆比特非易失性存储器，采用先进的铁电工艺。铁电随机存取存储器具有非易失性，其读写操作类似于随机存取存储器。它在提供151年可靠数据保持的同时，消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存和EEPROM不同，该器件以总线速度执行写操作，无写入延迟。在每个字节成功传输至器件后，数据会立即写入存储器阵列。下一个总线周期可以开始，无需数据轮询。此外，与其他非易失性存储器相比，该产品提供极高的写入耐久性，能够支持10¹⁵次读/写周期，其写入周期次数比EEPROM多1000亿倍。这些特性使其成为需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用的理想选择。该器件作为硬件直接替换方案，为串行EEPROM或闪存用户带来显著优势。它使用高速SPI总线，增强了铁电存储器技术的高速写入能力。器件包含只读器件标识和标识功能，允许主机确定制造商、产品密度、产品版本和每个部件的标识。器件还提供可写的8字节序列号寄存器，可用于识别特定电路板或系统。

商品特性

4兆比特铁电随机存取存储器，逻辑组织为512 K × 8
近乎无限的耐久性：1000万亿次读写
151年数据保持
无延迟写入
先进的高可靠性铁电工艺
快速串行外设接口
频率最高达20 MHz
支持SPI模式0和模式3
完善的写保护方案
硬件保护：使用写保护引脚
软件保护：使用写禁止指令
软件块保护：支持1/4、1/2或整个阵列
器件标识和序列号
制造商标识和产品标识
器件标识
序列号
专用的256字节特殊扇区铁电随机存取存储器
专用的特殊扇区写入和读取
存储内容可承受最多三次标准回流焊接循环
低功耗
20 MHz频率下典型工作电流为1.2 mA
典型待机电流为2.3 μA
典型深度掉电模式电流为0.70 μA
典型休眠模式电流为0.1 μA
上电期间典型浪涌电流为1.5 mA
低电压工作
型号CY15V104QI：VDD = 1.71 V 至 1.89 V
型号CY15B104QI：VDD = 1.8 V 至 3.6 V
商业和工业工作温度范围
商业工作温度：0°C 至 +70°C
工业工作温度：-40°C 至 +85°C
8引脚网格阵列四边无引线扁平封装
符合有害物质限制规定

数据手册PDF

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