CY62157G30-45ZSXIT

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品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: CY62157G30-45ZSXIT
商品编号: C5690284
商品封装: TSOPII-44
包装方式: 编带
商品毛重: 0.828克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)

	属性	参数值
	功能特性	自动掉电功能；内置ECC功能

商品概述

CY62157G 和 CY62157GE 是内置错误纠正代码的高性能 CMOS 低功耗 SRAM 器件。ECC 逻辑可在访问位置检测并纠正单位错误。该器件采用双片选架构。当两个片选输入均被置为有效时，即可访问双片选器件。数据写入通过将写使能输入置为低电平，并将数据和地址提供至器件的 I/O 引脚和地址引脚来执行。高位字节使能和低位字节使能输入控制字节写入，将对应 I/O 线上的数据写入指定存储器位置。BHE 控制 I/O8 至 I/O15，BLE 控制 I/O0 至 I/O7。数据读取通过置位输出使能输入，并将所需地址提供至地址引脚来执行。读取数据在 I/O 引脚上可用。字节访问通过置位相应的字节使能，从指定地址位置读取数据的高位字节或低位字节来实现。当器件被取消选择，或控制信号被置为无效时，其 I/O 引脚将进入高阻抗状态。该器件具备独特的“字节掉电”功能。当两个字节使能均无效时，无论片选状态如何，器件将无缝切换至待机模式以节省功耗。CY62157G 和 CY62157GE 器件提供无铅 48 球 VFBGA、44 引脚 TSOP II 和 48 引脚 TSOP I 封装。典型值仅供参考，不予保证或测试。典型值在 VCC = 3V、VCC = 1.8V、TA = 25°C 条件下测得。

商品特性

超低待机电流
标准待机电流：1.4μA
最大待机电流：6.5μA
高速：45ns
电压范围：1.65V ~ 3.6V
内置用于位错误纠正的 ECC
1.0V 数据保持
兼容晶体管-晶体管逻辑的输入/输出
无铅 48 球 VFBGA、44 引脚 TSOP II 和 48 引脚 TSOP I 封装

数据手册PDF

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