CY15V108QN-20LPXIT

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品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: CY15V108QN-20LPXIT
商品编号: C5690272
商品封装: GQFN-8(3.2x3.3)
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	铁电存储器(FRAM)

	属性	参数值
	功能特性	工作状态指示

商品概述

EXCELON LP CY15X108QN 是一种低功耗、8Mb非易失性存储器，采用铁电工艺。铁电随机存取存储器或F-RAM是非易失性的，并执行类似于RAM的读写操作。它提供151年的可靠数据保留，同时消除了由串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器引起的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存和EEPROM不同，CY15X108QN以总线速度执行写操作，不会产生写延迟。每个字节成功传输到设备后，数据立即写入存储器阵列。下一个总线周期可以开始，无需数据轮询。此外，与其他非易失性存储器相比，该产品提供显著的写耐久性。CY15X108QN能够支持10^15次读写周期，比EEPROM多1000百万倍的写周期。CY15X108QN为串行EEPROM或闪存的用户提供实质性好处，作为硬件直接替换。CY15X108QN使用高速SPI总线，增强了F-RAM技术的高速写能力。该设备包含只读设备ID和ID功能，允许主机确定制造商、产品密度、产品修订和每个部件的ID。该设备还提供可写的8字节序列号寄存器，可用于识别特定板卡或系统。

商品特性

8Mb铁电随机存取存储器，逻辑组织为1024K × 8
耐久性为1000万亿次读写
151年数据保留
即时非易失性写技术
高可靠性铁电工艺
快速串行外设接口
频率高达40 MHz
支持SPI模式0和模式3
复杂的写保护方案
使用写保护引脚的硬件保护
使用写禁用指令的软件保护
软件块保护，覆盖四分之一、二分之一或整个阵列
设备ID和序列号
制造商ID和产品ID
设备ID
序列号
专用256字节特殊扇区F-RAM
专用特殊扇区写和读
存储内容可经受三次标准回流焊循环
低功耗消耗
40 MHz下典型工作电流为2.6 mA
典型待机电流为3.5 μA
典型深度掉电模式电流为0.90 μA
典型休眠模式电流为0.1 μA
低电压操作
CY15V108QN：VDD = 1.71 V 至 1.89 V
CY15B108QN：VDD = 1.8 V 至 3.6 V
商业和工业工作温度
商业工作温度：0°C 至 +70°C
工业工作温度：-40°C 至 +85°C
封装
8引脚小外形集成电路封装
8引脚网格阵列四方扁平无引线封装
8引脚超薄细间距焊盘网格阵列封装
符合有害物质限制标准

应用领域

数据采集
工业控制

数据手册PDF

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