CY15B128J-SXET

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品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: CY15B128J-SXET
商品编号: C5690268
商品封装: SOIC-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.2克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	铁电存储器(FRAM)

	属性	参数值
	功能特性	-

商品概述

CY15B128J是一款128Kb非易失性存储器，采用先进的铁电工艺。铁电随机存取存储器具有非易失性，其读写操作类似于RAM。它在提供151年可靠数据保留的同时，消除了EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、系统开销及可靠性问题。与EEPROM不同，该器件以总线速度执行写操作，无写入延迟。数据在成功传输到器件后立即写入存储阵列，无需数据轮询即可开始下一个总线周期。此外，与其他非易失性存储器相比，该产品具有极高的写入耐久性。由于写操作不需要内部升压电源电压，铁电随机存取存储器在写入时的功耗也远低于EEPROM。该器件支持10^14次读/写周期，比EEPROM多1亿倍。这些特性使其成为需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用的理想选择，例如数据记录或对写入时间有苛刻要求的工业控制。该器件可作为串行EEPROM的硬件直接替换品，带来显著优势。它包含一个只读器件ID，允许主机识别制造商、产品密度和产品版本。器件规格保证在-40℃至+85℃的汽车级A温度范围内有效。

商品特性

128Kb铁电随机存取存储器，逻辑组织为16K×8
高耐久性：100万亿次读/写
151年数据保留
NoDelay写入
先进的高可靠性铁电工艺
快速两线串行接口
频率最高可达3.4 MHz
可直接硬件替换串行EEPROM
支持100 kHz和400 kHz的传统时序
器件ID：制造商ID和产品ID
低功耗：100 kHz下工作电流为175 μA，待机电流为150 μA，睡眠模式电流为8 μA
低电压工作：VDD = 2.0 V 至 3.6 V
汽车级A温度范围：-40℃ 至 +85℃
8引脚小外形集成电路封装
符合有害物质限制规定

数据手册PDF

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