DMT5012LFVW-13
停产 1个N沟道 耐压:50V 电流:11.7A 电流:51.4A
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- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT5012LFVW-13
- 商品编号
- C5673650
- 商品封装
- PowerDI3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.087克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 51.4A；11.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.7W；51.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 738pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
主要为连续波大信号输出和频率高达450 MHz的驱动应用而设计。该器件无需匹配，适用于各类应用。
商品特性
- 具备串联等效大信号阻抗参数特性
- 最高可在50 VDD电压下正常工作
- 集成静电放电（ESD）保护功能
- 采用可耐受225°C高温的塑料封装
- 采用卷带包装。后缀为R1表示每卷500个，卷带宽度24 mm，卷轴直径13英寸。