温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMN2050LQ-7
1个N沟道 耐压:20V 电流:5.9A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2050LQ-7
- 商品编号
- C5673538
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 29mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 532pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 117pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低导通电阻
- 在VGS = 4.5 V时为29 mΩ
- 在VGS = 2.5 V时为50 mΩ
- 在VGS = 2.0 V时为100 mΩ
- 极低的栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
- 符合AEC - Q101高可靠性标准
- 具备生产件批准程序(PPAP)能力
应用领域
- 汽车应用