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DMN3060LWQ-7
1个N沟道 耐压:30V 电流:2.6A
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- 描述
- 这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景：通用接口、开关电源管理功能、DC-DC转换器、模拟开关。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN3060LWQ-7
- 商品编号
- C5673556
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.058克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 640mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 395pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 39pF |
商品特性
~~- 微型、节省空间的封装-低外形高度-低导通电阻-快速开关时间-低栅极电荷-逻辑电平驱动-符合RoHS标准(无豁免)-符合REACH法规、无冲突矿物-微型、节省空间的封装-低外形高度-低导通电阻-快速开关时间-低栅极电荷-逻辑电平控制-符合RoHS标准(无豁免)
应用领域
- 电源管理单元-电池供电设备-负载开关、极性保护-商用/工业级-电流监测单元-电池供电设备-负载开关、极性保护-标准配置