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DMN3016LFDF-13实物图
  • DMN3016LFDF-13商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMN3016LFDF-13

1个N沟道 耐压:30V 电流:12A

品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
DMN3016LFDF-13
商品编号
C5673549
商品封装
UDFN2020-6​
包装方式
编带
商品毛重
0.036克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)10A
导通电阻(RDS(on))12mΩ@10V
耗散功率(Pd)2.02W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)25.1nC@10V
输入电容(Ciss)15pF
反向传输电容(Crss)82pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

MPT028N10是N沟道增强型功率MOSFET,采用先进的双沟槽技术,可降低传导损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。这是适用于电池管理系统(BMS)和大电流开关应用的理想器件。

商品特性

  • 厚度 0.6mm,适合低外形应用
  • PCB占位面积为 4mm^2
  • 低栅极阈值电压
  • 低导通电阻
  • 完全无铅,完全符合RoHS标准
  • 无卤和无锑“绿色”器件
  • 该器件符合JEDEC标准(如AEC-Q中引用),具备高可靠性

应用领域

-电池管理应用-电源管理功能-DC-DC转换器

数据手册PDF