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DMG302PU-13
1个P沟道 耐压:25V 电流:170mA
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMG302PU-13
- 商品编号
- C5673519
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 170mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10Ω@4.5V,200mA | |
| 耗散功率(Pd) | 330mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 960mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 350pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 27.2pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
采用TrenchMOS技术、LFPAK56（Power SO8）封装的逻辑电平N沟道MOSFET。该产品已按照AEC Q101标准进行设计和认证，适用于高性能汽车应用。
商品特性
- 符合Q101标准
- 具备重复雪崩额定值
- 额定温度达175°C，适用于对散热要求高的环境
- 真正的逻辑电平栅极，在175°C时VGS(th)额定值大于0.5 V
应用领域
- 12 V、24 V和48 V汽车系统
- 电机、灯具和螺线管控制
- 变速箱控制
- 超高性能功率开关