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AO3162
1个N沟道 耐压:600V 电流:0.034A
- 描述
- 采用先进的高压MOSFET工艺制造，旨在在流行的AC/DC应用中提供高性能和高可靠性。通过提供低RDS(on)、Ciss和CRSS以及有保证的雪崩能力，该器件可以快速应用于新的和现有的离线电源设计中。
- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AO3162
- 商品编号
- C5587743
- 商品封装
- SOT-23A-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 34mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 500Ω@10V,0.016A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 150pC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.07pF@25V | |
| 工作温度 | - |
商品概述
一款P沟道增强型硅MOSFET，采用P沟道DMOS工艺制造，专为高速脉冲放大器和驱动器应用而设计。该MOSFET具有低导通电阻rDS(ON)和低阈值电压的特点。
商品特性
- 功耗100mW
- 封装高度低至0.4mm
- 低导通电阻rDS(ON)
- 低阈值电压
- 逻辑电平兼容
- 小型无引脚表面贴装封装
应用领域
- 负载/电源开关
- DC - DC转换器
- 电池供电的便携式设备