商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.6mΩ@10V,20A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 84nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.69nF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
适用于基站应用的270 W LDMOS功率晶体管，在2110 MHz至2170 MHz频率范围内具有改善的视频带宽。
商品特性
- 出色的坚固性
- 高效率
- 低热阻，提供出色的热稳定性
- 专为宽带操作设计
- 去耦引线可改善视频带宽（典型值80 MHz）
- 较低的输出电容，可提高Doherty应用中的性能
- 专为低记忆效应设计，提供出色的预失真能力
- 内部匹配，易于使用
- 集成ESD保护
- 符合关于有害物质限制（RoHS）的2002/95/EC指令
应用领域
- 适用于2110 MHz至2170 MHz频率范围的基站和多载波应用的射频功率放大器