AOTF12N30
1个N沟道 耐压:300V 电流:11.5A
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- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AOTF12N30
- 商品编号
- C5587808
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.612克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 300V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 420mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 790pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AOT12N30/AOTF12N30采用先进的高压MOSFET工艺制造,旨在为常见的AC-DC应用提供高性能和高可靠性。该器件具备低导通电阻(RDS(on))、低输入电容(Ciss)和低反向传输电容(Crss),并保证了雪崩能力,可快速应用于新的和现有的离线电源设计中。这些器件非常适合用于消费、电信、工业电源和LED背光等领域的升压转换器和同步整流器。
商品特性
- 更高的正向偏置安全工作区（FBSOA）
- 常用的T-MAX或TO - 264封装
- 更高的功率耗散