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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 29A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.312nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AON6242采用了独特优化的沟槽MOSFET技术，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的 RDS(on) 和Crss组合，功率损耗得以最小化。此外，软恢复体二极管可很好地控制开关特性。该器件非常适用于消费、电信和工业电源以及LED背光源的升压转换器和同步整流器。