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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 29A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.312nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AOT29S50L、AOB29S50L、AOTF29S50L和AOTF29S50采用先进的αMOS高压工艺制造,该工艺旨在为开关应用提供高性能和高可靠性。 这些器件具备低导通电阻RDS(on)、低栅极电荷Qg和低输出电容储能EOSS,并保证了雪崩能力,可快速应用于新的和现有的离线式电源设计中。