商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 399mΩ@10V,3.8A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 545pF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.42pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
Power MOS 8TM 是一款高速、高压 N 沟道开关模式功率 MOSFET。采用专有平面条纹设计，具备出色的可靠性和可制造性。低输入电容和超低 Crss“米勒”电容实现了低开关损耗。多晶硅栅极结构的固有栅极电阻和电容有助于控制开关期间的转换速率，从而实现低电磁干扰 (EMI) 和可靠的并联，即使在非常高的频率下进行开关操作也是如此。高雪崩能量能力增强了反激、升压、正激和其他电路的可靠性。
商品特性
- 快速开关，低 EMI/RFI
- 低导通电阻 RDS(on)
- 超低 Crss，提高抗噪能力
- 低栅极电荷
- 有雪崩能量额定值
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 功率因数校正 (PFC) 和其他升压转换器
- 降压转换器
- 双开关正激（不对称桥）
- 单开关正激
- 反激式转换器
- 逆变器