APT100F50J
1个N沟道 耐压:500V 电流:103A
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT100F50J
- 商品编号
- C5554118
- 商品封装
- SOT-227B-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 43.536克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 103A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 960W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 620nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 24.6nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
Power MOS 7° 是新一代低损耗、高压、N 沟道增强型功率 MOSFET。Power MOS 7° 通过显著降低 RDS(ON) 和 Qg，解决了导通损耗和开关损耗问题。Power MOS 7° 结合了较低的导通和开关损耗，以及 APT 专利金属栅极结构固有的极快开关速度。
商品特性
- 快速开关且 EMI 低
- 反向恢复时间(trr)短,可靠性高
- 超低 Crss,提高抗噪能力
- 栅极电荷低
- 有雪崩能量额定值
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- ZVS 移相及其他全桥电路
- 半桥电路
- PFC 及其他升压转换器
- 降压转换器
- 单开关和双开关正激电路
- 反激电路