商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 145A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3.25kW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.068uC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 28.5nF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC - Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下领域： 电机控制 电源管理功能
商品特性
- 功率 MOS 7 个 MOSFET
- 低导通电阻 RDS(on)
- 低输入电容和米勒电容
- 低栅极电荷
- 有雪崩能量额定值
- 非常坚固耐用
- 开尔文源极,便于驱动
- 极低的杂散电感
- 对称设计
- M5 电源连接器
- 高度集成
- 采用氮化铝(AlN)基板,提升热性能
应用领域
- 零电流开关谐振模式