商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 145A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3.25kW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.068uC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 28.5nF@25V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC - Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下领域： 电机控制 电源管理功能
商品特性
- 低导通电阻
- 低栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 小型表面贴装封装
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- 2N7002EQ适用于需要特定变更控制的汽车应用；该器件符合AEC - Q101标准，具备PPAP能力，且在通过IATF 16949认证的工厂生产。
应用领域
- 电机控制
- 电源管理功能