商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 497A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V,248.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.2uC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 63.3nF@25V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
一款700 W的超耐用LDMOS功率晶体管，适用于HF至600 MHz频段的广播和工业应用。
商品特性
- 易于功率控制
- 集成ESD保护
- 出色的耐用性
- 高效率
- 优异的热稳定性
- 专为宽带操作设计（HF至600 MHz）
- 符合关于有害物质限制（RoHS）的2002/95/EC指令
应用领域
- 工业、科学和医疗应用
- 广播发射机应用
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