APT13F120S
1个N沟道 耐压:1.2kV 电流:14A
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT13F120S
- 商品编号
- C5554137
- 商品封装
- D3PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V,7A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 625W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 145nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.765nF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
适用于电子应用的250 W LDMOS功率晶体管，频率范围为960 MHz至1215 MHz。
商品特性
~~- 高效率-出色的耐用性-专为电子频段工作而设计-出色的热稳定性-易于功率控制-集成双面ESD保护,实现出色的关态隔离-脉冲格式灵活性高-内部匹配,使用方便
应用领域
- 频率范围为960 MHz至1215 MHz的电子发射机应用