APT29F80J
1个N沟道 耐压:800V 电流:31A
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT29F80J
- 商品编号
- C5554175
- 商品封装
- SOT-227B-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 43.536克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 31A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 210mΩ@10V,24A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 543W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 303nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.326nF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
Power MOS 7°是新一代低损耗、高压、N沟道增强型功率MOSFET。Power MOS 7°通过显著降低RDS(ON)和Qg，同时解决了导通损耗和开关损耗问题。Power MOS 7°结合了更低的导通和开关损耗，以及先进功率技术公司（APT）专利金属栅极结构固有的极快开关速度。
商品特性
- 更低的输入电容
- 更高的功率耗散
- 更低的米勒电容
- 更易于驱动
- 更低的栅极电荷Qg
- 采用流行的T-MAX或TO-264封装