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DMP2225LQ-7

1个P沟道耐压:20V 电流:2.6A

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描述: 新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持出色的开关性能，非常适合用于高效电源管理应用。
品牌名称: DIODES(美台)
商品型号: DMP2225LQ-7
商品编号: C5456107
商品封装: SOT-23
包装方式: 编带
商品毛重: 0.029克(g)

商品参数

商品概述

适用于500V至1000V电压的多外延（Multi-EPI）超结功率MOSFET平台，具备设计服务和制造能力，包括单元、终端设计和仿真。 GSx15N65EF是一款低压N沟道多外延（Multi-EPI）超结功率MOSFET样品，采用先进技术，具有更好的特性，如快速开关时间、低输入电容（Ciss）和反向传输电容（Crss）、低导通电阻和出色的雪崩特性。 TO - 252

商品特性

当栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 0.26Ω
漏源电压（VDS） = 650V

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	20V
	连续漏极电流(Id)	2.6A
	导通电阻(RDS(on))	80mΩ@4.5V；165mΩ@2.5V
	耗散功率(Pd)	1.08W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	1.25V@250uA
	栅极电荷量(Qg)	4.3nC@4.5V
	输入电容(Ciss)	250pF
	反向传输电容(Crss)	58pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	输出电容(Coss)	88pF