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DMTH45M5SPDWQ-13实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMTH45M5SPDWQ-13

40V、175°C双N沟道增强型MOSFET

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私有库下单最高享92折
描述
这款MOSFET旨在满足汽车应用的严格要求。它符合AEC-Q101标准,有生产件批准程序(PPAP)支持,适用于无线充电DC-DC转换器、电源管理。
品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
DMTH45M5SPDWQ-13
商品编号
C5457073
商品封装
PowerDI5060-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.122667克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)79A
导通电阻(RDS(on))5.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)60W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3.5V
栅极电荷量(Qg)13.2nC@10V
输入电容(Ciss)1.083nF
反向传输电容(Crss)21pF
工作温度-55℃~+175℃
输出电容(Coss)621pF

商品特性

  • 额定温度可达+175°C,适用于高环境温度环境
  • 生产过程中进行100%非钳位电感开关(UIS)测试,确保终端应用更可靠、更耐用
  • 高转换效率
  • 低导通电阻RDS(ON),可将导通状态损耗降至最低
  • 低输入电容
  • 快速开关速度
  • 可焊侧翼,便于光学检测
  • 无铅涂层,符合RoHS标准
  • 无卤素和锑,为“绿色”器件

应用领域

-无线充电-DC-DC转换器-电源管理

数据手册PDF