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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 灌电流(IOL) | 270mA | |
| 拉电流(IOH) | 170mA | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品概述
该器件是一款内置振荡器的高压半桥驱动器。振荡器的频率可通过外部电阻和电容进行编程。该器件的内部电路也允许其由外部逻辑信号驱动。 输出驱动器旨在驱动外部N沟道功率MOSFET和IGBT。内部逻辑确保了一段死区时间[典型值为1.25μs]，以避免功率器件发生直通现象。 有两个版本可供选择：L6569和L6569A。它们的区别在于低压栅极驱动器的启动顺序。
商品特性
- 高压轨最高可达600V
- BCD离线技术
- 内部自举二极管结构
- VS端有15.6V齐纳钳位
- 驱动器电流能力：灌电流 = 270mA，拉电流 = 170mA
- 极低的启动电流：150μA
- 带迟滞功能的欠压锁定
- 可编程的振荡器频率
- 死区时间1.25μs
- dV/dt抗扰度最高可达±50V/ns
- ESD保护
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