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4N65M
硅 N沟道 功率 MOSFET
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- 描述
- XCH4N65M硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET）采用自对准平面技术制造，该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 251，符合RoHS标准
- 品牌名称
- XCH(旭昌辉)
- 商品型号
- 4N65M
- 商品编号
- C5455843
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4624克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 610pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.5pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 53pF |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个2500个/圆盘
总价金额：
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