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7N65F
耐压:650V 电流:7A
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- 描述
- XCH7N65F是一款采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型VDMOS场效应晶体管，该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 220F，符合RoHS标准
- 品牌名称
- XCH(旭昌辉)
- 商品型号
- 7N65F
- 商品编号
- C5455846
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.592克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 950mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.08nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 37.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 快速开关
- 低导通电阻(Rdson ≤ 1.25 Ω)
- 低栅极电荷(典型数据:24nC)
- 低反向传输电容(典型值:4.5pF)
- 100%单脉冲雪崩能量测试
应用领域
-适配器和充电器的功率开关电路