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7N65M
硅 N沟道 功率 MOSFET
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- 描述
- XCH4N65M是一款采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET），该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。这款晶体管可应用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和提高效率。其封装形式为TO - 252，符合RoHS标准
- 品牌名称
- XCH(旭昌辉)
- 商品型号
- 7N65M
- 商品编号
- C5455845
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.45356克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.05Ω@10V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | 95W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.05nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.5pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
GSx20N65E是一款低压N沟道多外延层超结功率MOSFET样品，采用先进技术，具备更优特性，如快速开关时间、低输入电容Ciss和反向传输电容Crss、低导通电阻以及出色的雪崩特性。
商品特性
- 当VGS = 10V时，RDS(ON)=0.19Ω
- VDS = 650V
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