温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
GSA15N65E
650V、15A功率MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- GSx15N65EF是一款低压N沟道多外延超结功率MOSFET样品，采用先进技术，具备更优特性，如快速开关时间、低输入电容（Ciss）和反向传输电容（Crss）、低导通电阻以及出色的雪崩特性。
- 品牌名称
- XCH(旭昌辉)
- 商品型号
- GSA15N65E
- 商品编号
- C5455783
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.248克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 260mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 820pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
适用于500V至1000V电压的多外延(Multi-EPI)超结功率MOSFET平台,具备设计服务和制造能力,包括单元、终端设计和仿真。 GSx15N65EF是一款低压N沟道多外延(Multi-EPI)超结功率MOSFET样品,采用先进技术,具有更好的特性,如快速开关时间、低输入电容(Ciss)和反向传输电容(Crss)、低导通电阻和出色的雪崩特性。 TO - 252
商品特性
- 当栅源电压(VGS) = 10V时,漏源导通电阻(RDS(ON)) = 0.26Ω
- 漏源电压(VDS) = 650V
应用领域
- 初级侧开关-N沟道MOSFET