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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

GSW77N65EF

650V、77A功率MOSFET

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描述
GSW77N65E是一款低压N沟道多外延超结功率MOSFET样品,采用先进技术,具备更优特性,如快速开关时间、低输入电容(Ciss)和反向传输电容(Crss)、低导通电阻以及出色的雪崩特性。
品牌名称
XCH(旭昌辉)
商品型号
GSW77N65EF
商品编号
C5455785
商品封装
TO-247​
包装方式
管装
商品毛重
8.043333克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)77A
导通电阻(RDS(on))35mΩ@10V
耗散功率(Pd)400W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4.5V
栅极电荷量(Qg)300nC@10V
输入电容(Ciss)6.2nF
反向传输电容(Crss)12pF
工作温度-40℃~+125℃

商品特性

  • 全新革命性高压技术
  • TO - 247封装下更佳的导通电阻(RDS(on))
  • 超低栅极电荷
  • 具备周期性雪崩额定值
  • 具备极高的电压变化率(dv/dt)额定值
  • 超低有效电容
  • 无铅引脚镀层
  • 内置快速恢复体二极管

应用领域

  • 消费电子
  • 电动汽车充电器
  • 服务器和电信设备的功率因数校正(PFC)级
  • 开关电源(SMPS)
  • 不间断电源(UPS)
  • 太阳能
  • 照明

数据手册PDF