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AON2290
1个N沟道 耐压:100V
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- 描述
- 将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可提供极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AON2290
- 商品编号
- C5451855
- 商品封装
- DFN2x2B
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.056633克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 72mΩ@10V,4.5A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 415pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
HD7258采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 100V，ID = 30A
- RDS(ON) < 43mΩ（VGS = 10V时）
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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