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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 56.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 325pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.4pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 29pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品概述
AOD2N60和AOU2N60采用先进的高压MOSFET工艺制造,旨在为常见的AC-DC应用提供高性能和高可靠性。 这些器件具有低RDS(ON)、Ciss和Crss,并具备有保证的雪崩能力,可快速应用于新的和现有的离线电源设计中。
商品特性
- VDS = -60 V，ID = -20 A
- 当VGS = -10 V时，RDS(ON) < 72 mΩ
- 当VGS = -4.5 V时，RDS(ON) < 100 mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理
- AK5572EN
- SFMH-115-02-L-D-LC
- 8151M5K00101JCC42
- SMCJ70CA-L
- RT0402DRE0795K3L
- DF51K-4DP-2DSA(800)
- DF51K-8DP-2DSA(800)
- CNY17-4S
- USB4140-GF-0170-C
- RAK3172-8-SM-NI
- EKMB1306111K
- ASCB-RTCC-0A207
- SN74LVC1G08DBVRE4
- TS14002-C033DFNR
- RI80SMDM-0510-J1
- NFM31KC103R1H3L
- OKL2-T/20-W12P2-C
- FLY-26500-3200mAh
- FLY-21700-4500mAh
- FLY-16340-850mAh
- FLY-18650-3000mAh