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AOD2N60
1个N沟道 耐压:600V 电流:2A
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- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AOD2N60
- 商品编号
- C5451856
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.48768克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.4Ω@10V,1A | |
| 耗散功率(Pd) | 56.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 325pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.4pF@25V | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ |
商品概述
HD6955采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -60 V，ID = -20 A
- 当VGS = -10 V时，RDS(ON) < 72 mΩ
- 当VGS = -4.5 V时，RDS(ON) < 100 mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理
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