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DMN2310U-7
1个N沟道 耐压:20V 电流:1.6A
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- 描述
- 这款新一代 MOSFET 的设计旨在将导通电阻（RDS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想之选。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2310U-7
- 商品编号
- C5451811
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 360mΩ@1.8V,1.1A | |
| 耗散功率(Pd) | 480mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 950mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 700pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 38pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
HS6339采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V，ID = -12A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 13mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源