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DMN2046U-13
1个N沟道 耐压:20V 电流:3.4A
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- 描述
- 这款MOSFET旨在将导通电阻（RDS(on)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2046U-13
- 商品编号
- C5451812
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.077克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 72mΩ@4.5V,3.6A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 760mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 292pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这款MOSFET旨在将导通电阻 RDS(on) 降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻-低输入电容-快速开关速度-低输入/输出泄漏电流-静电放电保护栅极-完全无铅且完全符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
- 电池充电-电源管理功能-DC-DC转换器-便携式电源适配器