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DMPH4015SSSQ-13
1个P沟道 耐压:40V 电流:11.4A
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- 描述
- 这款 MOSFET 专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合 AEC Q101 标准，具备生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景：直流 - 直流转换器、电源管理功能、模拟开关。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMPH4015SSSQ-13
- 商品编号
- C5451813
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.335克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V,9.8A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 91nC | |
| 输入电容(Ciss) | 4.234nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 526pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
MDT30P10D采用先进的技术和设计，可提供出色的导通电阻RDS(ON)，适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = -110 V，漏极电流ID = -30 A
- 低导通电阻
- 低反向传输电容
- 100%单脉冲雪崩能量测试
应用领域
- 功率开关应用
- 适配器和充电器
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