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DMN3401LDW-7
2个N沟道 耐压:30V 电流:800mA
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- 描述
- 这款MOSFET旨在将导通电阻（RDS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN3401LDW-7
- 商品编号
- C5451814
- 商品封装
- SOT-363-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 800mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 290mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 12pF |
商品概述
- 最新沟槽功率AlphaMOS（αMOS LV）技术
- 集成肖特基二极管（SRFET）
- 在4.5VGS时具有极低的RDS（on）
- 低栅极电荷
- 高电流承载能力
- 符合RoHS标准且无卤素
商品特性
-双N沟道MOSFET-低导通电阻-低输入电容-快速开关速度-栅极具备ESD保护-完全无铅且完全符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
-电机控制-电源管理功能-DC-DC转换器
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