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DMN3401LDW-7实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMN3401LDW-7

2个N沟道 耐压:30V 电流:800mA

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描述
这款MOSFET旨在将导通电阻(RDS(ON))降至最低,同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
DMN3401LDW-7
商品编号
C5451814
商品封装
SOT-363-6​
包装方式
编带
商品毛重
0.033克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)800mA
导通电阻(RDS(on))200mΩ@10V
耗散功率(Pd)290mW
阈值电压(Vgs(th))1.2V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)1.2nC@10V
输入电容(Ciss)50pF
反向传输电容(Crss)10pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)12pF

商品概述

  • 最新沟槽功率AlphaMOS(αMOS LV)技术
  • 集成肖特基二极管(SRFET)
  • 在4.5VGS时具有极低的RDS(on)
  • 低栅极电荷
  • 高电流承载能力
  • 符合RoHS标准且无卤素

应用领域

  • 计算、服务器及负载点(POL)的DC/DC转换器
  • 电信和工业领域的隔离式DC/DC转换器

数据手册PDF