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DMHC6070LSD-13
60V互补增强型MOSFET H桥
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- 描述
- 这新一代互补MOSFET H桥的特点是在低栅极驱动下可实现低导通电阻。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMHC6070LSD-13
- 商品编号
- C5451815
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.173181克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道+2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 731pF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
HD7256采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100V，漏极电流ID = 20A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 87mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源