温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 31W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.71nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 185pF@15V |
商品特性
- 小尺寸封装（5x6 mm），适合紧凑设计
- 低导通状态漏源电阻（RDS(on)），可将传导损耗降至最低
- 低栅极电荷（QG）和电容，可将驱动损耗降至最低
- NVMFS5C670NLWF – 可焊侧翼选项，便于光学检测
- 通过 AEC-Q101 认证，可提供生产件批准程序（PPAP）文件
- 这些器件为无铅产品，符合 RoHS 标准