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NVTFS5116PLWFTWG
1个P沟道 耐压:60V 电流:14A
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- 描述
- 适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 3x3mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVTFS5116PLWFTWG
- 商品编号
- C604638
- 商品封装
- WDFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.094克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 21W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.258uF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 84pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 导通电阻 RDS(on)1 = 5 Ω（典型值）
- 2.5V 驱动
- 内置保护二极管
- 符合无卤标准
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